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鎳基高溫合金GH4169粉末表面氧化特性

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鎳基高溫合金 GH4169(美國(guó)牌號(hào) Inconel 718)是 20 世紀(jì) 60 年代開發(fā)的一種鎳基高溫合金,因其具有良好的熱加工性能、優(yōu)異的高溫力學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于航空、航天、核能、動(dòng)力和石化等領(lǐng)域。作為航空發(fā)動(dòng)機(jī)發(fā)展歷史上應(yīng)用范圍最廣的鎳基高溫合金材料,其年產(chǎn)量占據(jù)整個(gè)變形高溫合金總產(chǎn)量的 45% 以上,并且逐年增加。相關(guān)資料顯示,美國(guó) GE 公司所有發(fā)動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵零部件中該合金的使用比例高達(dá) 70%,美國(guó) P&W 公司大型發(fā)動(dòng)機(jī)PW 4000 核心零部件中該合金的使用比例高達(dá)57%[1-5]。

如前所述,鎳基高溫合金 GH4169 常用于制造航空發(fā)動(dòng)機(jī)中的重要零件,其性能對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)可靠性有著至關(guān)重要的作用。采用傳統(tǒng)方法加工或成形,存在工藝難度大、材料浪費(fèi)多等難題。熱等靜壓近凈成形技術(shù)(near net shaping hot isostatic pressing,NNS-HIP)結(jié)合粉末冶金與現(xiàn)代模具技術(shù),在低于材料熔點(diǎn)的溫度下,一次性整體近凈成形出性能優(yōu)異的復(fù)雜零件,其制件具有均勻細(xì)小的微觀組織,良好的綜合性能,不僅克服了材料加工難的問題,還大大提高材料的利用率,降低零件制造成本[6-12]。

但是,鎳基高溫合金 GH4169 合金元素含量較多、合金相組成復(fù)雜,在粉末制備和處理過程中,粉末表面會(huì)出現(xiàn)一定的物理化學(xué)吸附以及元素偏析,最終在粉末表面生成氧化層。在粉末熱等靜壓成型過程中,粉末表面的氧化層會(huì)阻礙粉末顆粒之間的擴(kuò)散和連接,同時(shí),第二相顆粒優(yōu)先在粉末表面附近析出,由于基體和粉末邊界變形不協(xié)調(diào),容易形成孔洞和應(yīng)力集中,促進(jìn)疲勞裂紋的萌生和擴(kuò)展,導(dǎo)致零件的力學(xué)性能顯著降低,最終導(dǎo)致服役零件過早失效[13-15]。鑒于粉末表面氧化對(duì)熱等靜壓近凈成形技術(shù)生產(chǎn)零件的力學(xué)性能具有決定性的影響,國(guó)內(nèi)外關(guān)于鎳基高溫合金 GH4169(IN718)的高溫氧化行為主要集中在塊體材料氧化動(dòng)力學(xué)、氧化層以及其形成機(jī)理的研究等幾個(gè)方面[16-18],目前很少見到關(guān)于 GH4169 合金粉末表面氧化行為研究的相關(guān)報(bào)道,所以對(duì) GH4169 高溫合金粉末表面氧化特性的研究具有重要的指導(dǎo)意義。

本工作重點(diǎn)研究溫度對(duì)鎳基高溫合金 GH4169粉末表面氧化特性的影響,旨在闡明粉末加熱處理溫度和粉末表面氧化的關(guān)系,探索粉末加熱處理過程中表面氧化層的組成及形成機(jī)理,為熱等靜壓近凈成形用鎳基高溫合金 GH4169 粉末處理工藝參數(shù)的確定提供理論依據(jù)和技術(shù)支撐。

1、 實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)材料為 GH4169 高溫合金粉末,主要合金元素組成(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)如表 1 所示。在溫度為25 ℃ 的實(shí)驗(yàn)環(huán)境內(nèi),以 10 ℃/min 的升溫速率,將粒徑小于 53 μm 的粉末分別加熱至 150 ℃,250 ℃,350 ℃,保溫 1 h,然后以 0.5~1 ℃/min 的降溫速率冷至室溫,另取未經(jīng)加熱處理室溫下儲(chǔ)存的粉末作為對(duì)照。然后使用 G8 Galileo 氧氮分析儀測(cè)定粉末氧含量,采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡結(jié)合能譜(FE-SEM&EDS)分析粉末表面氧化層的形貌和元素組成,采用 X 射線光電子能譜(XPS)原位分析粉末表面氧化層的物相組成,采用二次離子質(zhì)譜(SIMS)分析粉末表面氧化層不同元素的分布規(guī)律,確定粉末表面氧化層的厚度。

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2、 結(jié)果

2.1 粉末的氧含量

不同溫度下鎳基高溫合金 GH4169 粉末的氧含量如圖 1 所示。由圖可知,室溫下粉末的氧含量為 0.0155%。當(dāng)溫度達(dá)到 150 ℃,粉末氧含量為0.0163%,和室溫下粉末氧含量基本一樣。當(dāng)溫度升至 250 ℃,粉末氧含量增長(zhǎng)至 0.0212%,比室溫時(shí)氧含量增加了 50%。高于 250 ℃ 時(shí),隨著溫度的升高,粉末氧含量急劇增加。當(dāng)溫度為 350 ℃時(shí),粉末氧含量達(dá)到 0.0480%。由于粉末氧含量> 0.02% 時(shí)會(huì)嚴(yán)重影響熱等靜壓近凈成形 GH4169合金制件的力學(xué)性能。熱等靜壓近凈成形技術(shù)所用高溫合金粉末的氧含量一般小于 .02%[19],因此,本研究中所使用的粉末暴露大氣條件下 1 h內(nèi),最高處理溫度不應(yīng)超過 250 ℃。

360截圖165110027772105.jpg

2.2 粉末的表面相分析

不同溫度下鎳基高溫合金 GH4169 粉末的表面形貌如圖 2 所示。由圖 2 可知,室溫下粉末表面呈現(xiàn)胞狀結(jié)構(gòu),輪廓清晰,未觀察到明顯的析出物。在 150 ℃ 時(shí),胞狀結(jié)構(gòu)輪廓開始變得模糊,仍未見析出物形成。當(dāng)溫度升至 250 ℃,胞狀結(jié)構(gòu)輪廓進(jìn)一步模糊,開始出現(xiàn)黑色析出物。在 350 ℃時(shí),形成大量黑色析出物,基本完全填滿胞狀結(jié)構(gòu)間隙。

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為確定粉末表面氧化層的組成,對(duì)不同溫度處理的粉末進(jìn)行原位 XPS 測(cè)試,不同溫度下 GH4169高溫合金粉末表面的 XPS 全譜(Survey)顯示,不同溫度下粉末表面合金元素種類基本不變,主要含有Ni、Cr、O、Ti、Nb、C 等元素(圖 3)。

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圖 4 為不同溫度下 GH4169 高溫合金粉末表面窄能量掃描 XPS 圖譜。由圖 4(a)可知,室溫,150 ℃、250 ℃ 下圖譜中存在明顯的 Ti 2p1/2 峰以及 TiO2 2p3/2 和 TiO2 2p1/2 峰。說明在 250 ℃ 及以下,粉末表面同時(shí)存在單質(zhì)態(tài) Ti 和 TiO2;當(dāng)溫度升至 350 ℃,圖譜中 Ti 2p1/2 峰基本消失,僅存在較強(qiáng)的 TiO2 2p3/2 和 TiO2 2p1/2 峰。表明 Ti 元素全部氧化為 TiO2,基本不存在單質(zhì)態(tài) Ti。由圖 4(b)可知,室 溫 、 150 ℃ 、 250 ℃ 下 圖 譜 中 存 在 明 顯 的 Cr2p3/2 峰以及 Cr2O3 2p3/2 和 Cr2O3 2p1/2 峰。說明在250 ℃ 及以下,粉末表面同時(shí)存在單質(zhì)態(tài) Cr 和Cr2O3;當(dāng)溫度升至 350 ℃,圖譜中的 Cr 2p1/2 峰基本消失,僅存在較強(qiáng)的 Cr2O3 2p3/2 和 Cr2O3 2p1/2峰。表明 Cr 元素全部氧化為 Cr2O3,基本不存在單質(zhì)態(tài) Cr。由圖 4(c)可知,室溫、150 ℃、250 ℃ 下圖譜中存在明顯的 Ni 2p3/2 峰以及 Ni(OH)2 2p3/2和 Ni(OH)2 2p1/2 峰。說明在 250 ℃ 及以下,粉末表面同時(shí)存在單質(zhì)態(tài) Ni 和 Ni(OH)2;當(dāng)溫度升至350 ℃,圖譜中的 Ni 2p3/2 峰基本消失,僅存在較強(qiáng)的 Ni(OH)2 2p3/2 和 Ni(OH)2 2p1/2 峰。表明 Ni 元素全部轉(zhuǎn)變?yōu)?Ni(OH)2,基本不存在單質(zhì)態(tài) Ni。

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由圖 4(d)可知,室溫、150 ℃、250 ℃ 條件下圖譜中存在明顯的 Nb 3d5/2 峰以及 Nb2O5 3d5/2 和 Nb2O53d3/2 峰。說明在 250 ℃ 及以下,粉末表面同時(shí)存在單質(zhì)態(tài) Nb 和 Nb2O5;當(dāng)溫度升至 350 ℃,圖譜中的 Nb 3d5/2 峰基本消失,僅存在較強(qiáng)的 Nb2O5 3d5/2和 Nb2O5 3d3/2 峰。表明 Nb 元素全部氧化為 Nb2O5,基本不存在單質(zhì)態(tài) Nb。為分析粉末表面氧化層不同元素的分布規(guī)律,確定粉末表面氧化層的厚度,對(duì) 350 ℃ 處理的粉末進(jìn)行 SIMS 測(cè)試。圖 5 為經(jīng) 350 ℃ 處理 GH4169粉末表面濺射 100 nm 后的 SIMS 結(jié)果。由圖 5 可知,隨著濺射深度的增加,粉末表面氧元素強(qiáng)度急劇降低,而鎳元素強(qiáng)度先緩慢升高后開始降低。利用切線外延法[20-22],可以確定氧化層厚度約為 5 nm。

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3、 討論

相關(guān)學(xué)者研究指出[23-25],粉末表面氧化是物理化學(xué)吸附和元素?cái)U(kuò)散共同作用的結(jié)果。整個(gè)氧化過程包括四個(gè)階段:第一階段,粉末表面物理吸附氣體階段。由于粉末比表面積較大,對(duì)周圍氣氛中的氧氣等氣體具有較強(qiáng)的物理吸附作用,因此,氧化初期,粉末表面吸附大量的氧氣分子。第二階段,粉末表面化學(xué)吸附階段。隨著物理吸附的不斷進(jìn)行,氧氣分子由物理吸附轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)吸附,以氧原子的形式溶解到粉末表面,和粉末表面的活性元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在粉末表面形成不同的氧化物[26-28]。第三階段,氧原子向粉末內(nèi)部擴(kuò)散階段。

隨著物理和化學(xué)吸附的繼續(xù),粉末表面氧原子濃度顯著提高,和粉末內(nèi)部氧原子存在濃度差,因此,氧原子開始向粉末內(nèi)部擴(kuò)散。第四階段,粉末內(nèi)部合金元素向粉末表面擴(kuò)散階段。隨著表面氧化膜的不斷形成,在粉末近表面處存在合金元素的貧化區(qū),和粉末內(nèi)部合金元素出現(xiàn)濃度差,開始出現(xiàn)合金元素向合金表面擴(kuò)散的現(xiàn)象[29-31]。

結(jié)合圖 1 和圖 2 不同溫度下粉末表面的氧含量和表面形貌可知,在 250 ℃ 保溫 1 h,粉末表面開始出現(xiàn)少量黑色析出物。溫度為 350 ℃ 時(shí),粉末表面氧含量急劇升高,在胞狀結(jié)構(gòu)間隙處形成大量的黑色析出物。因?yàn)閿U(kuò)散屬于熱激活過程,溫度是影響擴(kuò)散速率最主要的因素。溫度越高,原子熱激活能量越大,越易發(fā)生遷移,擴(kuò)散系數(shù)也越大[32-35]。

當(dāng)粉末加熱溫度較低時(shí),只發(fā)生粉末表面的物理和化學(xué)吸附,未進(jìn)入后續(xù)擴(kuò)散階段,因此粉末表面只出現(xiàn)少量析出物。隨著加熱溫度的升高,當(dāng)溫度升至 350 ℃ 時(shí),足以使粉末表面原子發(fā)生擴(kuò)散,因此粉末表面形成大量黑色析出物。

同時(shí),結(jié)合圖 3 和圖 4 粉末表面 XPS 全譜和窄能量掃描結(jié)果可得,在室溫、150 ℃、250 ℃ 下,粉末表面部分氧化,存在以 Ni、Cr、Ti、Nb 為主的單質(zhì)態(tài)和 Ni(OH)2 、Cr2O3、TiO2、Nb2O5 為主的氫氧化物/氧化物。當(dāng)溫度達(dá)到 350 ℃ 時(shí),粉末表面全部氧化,主要由 Ni(OH)2、Cr2O3、TiO2、Nb2O5 組成。 經(jīng)查詢文獻(xiàn)和數(shù)值擬合可得,在 350 ℃ 時(shí),各種氧化物的吉布斯形成自由能分別為:

?GNb2O5 =?1622.96 kJ/mol?GCr2O3= ?972.30 kJ/mol?GTiO2 =?829.84 kJ/mol?GNiO = ?182.04 kJ/mol0 >?GNiO>?GTiO2>?GCr2O3>?GNb2O5

由此可見,所有氧化物均可自發(fā)形成。但是如前所述,粉末表面氧化分為四個(gè)階段,吉布斯自由能只是表明在熱力學(xué)條件下是可以自發(fā)進(jìn)行的,是否發(fā)生全部氧化主要依賴于原

子和合金元素的擴(kuò)散過程。在較低溫度加熱(室溫、150 ℃、250 ℃)時(shí),原子和合金元素的擴(kuò)散未充分進(jìn)行,粉末表面只發(fā)生部分氧化,表面存在以Ni、Cr、Ti、Nb 為主的單質(zhì)態(tài)。在 350 ℃ 加熱時(shí),表面全部氧化,主要原因在于擴(kuò)散進(jìn)行的充分,氧原子和合金元素可以完全的進(jìn)行反應(yīng)(圖 6)。

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4、 結(jié)論

(1)在室溫條件下,粉末表面部分氧化,表面存在以 Ni、Cr、Ti、Nb 為主的單質(zhì)態(tài)和以 Ni(OH)2、Cr2O3、TiO2、Nb2O5 為主的氫氧化物/氧化物。

(2)隨著溫度的上升(150~250 ℃),Ni、Cr、Ti、Nb 元素單質(zhì)峰減弱,氧化程度略有增加,粉末表面部分氧化。

(3)當(dāng)溫度達(dá)到 350 ℃ 時(shí),粉末表面全部氧化,氧化層厚度約為 5 nm,主要由 Ni(OH)2、Cr2O3、TiO2,Nb2O5 組成。

(4)溫度對(duì) GH4169 高溫合金粉末氧化特性影響顯著,對(duì)本研究所用的 GH4169 高溫合金粉末暴露大氣條件下 1 h 內(nèi),最高處理溫度不應(yīng)超過250 ℃。

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